8月6日消息，图像传感器及功率半导体大厂安森美（Onsemi）近日宣布，将于今年晚些时候对200毫米（8英寸）碳化硅晶圆进行认证，并于2025年投产。 安森美总裁兼首席执行官HassaneEl-Khoury表示：“我们仍然在朝着我们所说的今年将获得8英寸资格的轨道上，这就是我谈论资格的时候，它是一直通过晶圆厂的基板。因此，这将在今年获得资格，明年开始营收符合我们的预
发布日期：2024-08-05 来源：芯智讯-林子8月1日消息，SK海力士计划在2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，并于2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士还考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术，即将两片晶圆键合起来打造3DNAND产品。 随着堆叠层数的增加，每层NAND都需要进行光刻工艺，这导致了单芯片光刻胶用量同步成倍增长。此外，产品制程升级带来的技术难度也呈指数级增长，尤其是当
发布日期：2024-08-01 来源：电子工程专辑高价位高带宽存储器（HBM）产品的快速利润增长正在推动产能增加，并改善存储器行业的供需动态。领先的存储器制造商将在2024年重启资本支出，重点关注HBM和高价位DRAM产品。尽管企业存储需求强劲，但NANDFlash市场仍面临供应过剩的担忧。今年，三星电子、SK海力士和美光对NANDFlash的资本投资与过去两年相比有所减少。 NANDFlash价格每季皆有上涨，下
发布日期：2024-07-30 来源：半导体行业观察据台媒报道，世界先进（VIS）新加坡12英寸晶圆厂将在今年下半年开始动工兴建，新厂制程节点为0.13um～40nm，来自于台积电的技术移转，主要应用为PMIC、Analog、混合信号，主要应用以工业及车用为主，少部分的消费性产品。 该晶圆厂由世界先进（VIS）和恩智浦半导体（NXP）在新加坡成立的合资公司VSMC投建，总投资额为78亿美元。世界先进此前预期，新厂约自
发布日期：2024-07-25 来源：大半导体产业网 SEMI尽管所有人的目光都集中在尖端的硅节点上，但许多成熟节点仍然享有强劲的制造需求。 后续节点在20nm左右停止降低芯片成本。“在finFET工艺时代，每一代技术向前发展所必需的深奥工艺要求都增加了显著的成本和复杂性，”Synopsys解决方案集团逻辑库IP首席产品经理AndrewAppleby解释道。“这在每个节点之间创造了强大的过渡点。” 从那时起，
发布日期：2024-07-23 来源：半导体行业观察7月18日，晶圆代工大厂台积电公布了由于市场预期的2024年第二季财报，上调了2024年全年营收目标及资本支出目标，并提出了全新的“晶圆代工2.0”概念。这也是台积电开创了晶圆代工产业37年之后，再度定义了“晶圆代工”。 在二季度的法说会上，台积电董事长暨总裁魏哲家提出了“晶圆代工2.0”概念，认为“晶圆代工2.0”是包括封装、测试、光罩制作及不含存储芯片制造的IDM产业，对于晶
发布日期：2024-07-18 来源：芯智讯-浪客剑
