高价位高带宽存储器（HBM）产品的快速利润增长正在推动产能增加，并改善存储器行业的供需动态。领先的存储器制造商将在 2024 年重启资本支出，重点关注 HBM 和高价位 DRAM 产品。尽管企业存储需求强劲，但 NAND Flash 市场仍面临供应过剩的担忧。今年，三星电子、SK 海力士和美光对 NAND Flash 的资本投资与过去两年相比有所减少。

NAND Flash价格每季皆有上涨，下半年产能逐渐回复正常水平，不过市场预估第三季将略微出现供过于求的状况，价格涨势将趋于稳定。

近年来一直主导 HBM 市场的 SK Hynix 报告称，在 HBM 和企业级 SSD 强劲销售的推动下，2023 年第二季度收入和利润均实现强劲增长。HBM 销售额季度增长超过 80%，年增长超过 250%，而企业级 SSD 销售额季度增长约 50%。SK Hynix 计划在 2024 年推出 60TB 企业级 SSD，预计 2025 年初推出 128TB 型号。

SK海力士第二季NAND Flash平均售价虽上涨15%-19%，但位元出货量略有衰退，反映其他NAND应用需求疲弱，与价格涨幅不匹配；DRAM位元出货量年增幅不足20%，平均售价涨幅在15%左右，呈现均衡增长。

包括三星、SK海力士和美光在内的内存制造商计划在2024-2025年增加资本支出，重点投资DRAM，尤其是关键战场HBM。因此，预计NAND Flash的资本投资将比2022-2023年有所减少，从2023年占总投资的70%以上下降到2024年的60%多一点。

值得一提的是，尽管三星积极进军HBM市场，但其NAND投资仍占行业整体的40%-50%，彰显其强大的市场地位和资金实力。三星正在技术与设备方面进行投资，计划在平泽P4厂建立NAND Flash产线，并于7月底前部署主要设备。

NAND 闪存竞争愈演愈烈

继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）之后，人工智能（AI）存储器半导体领域的NAND闪存市场竞争愈演愈烈。

据业内人士5月19日透露，三星电子和SK海力士正在加大力度提升NAND技术和产品的性能和容量，以应对不断增长的人工智能需求。

三星电子于 4 月开始量产业界首个 1 太比特 (Tb) 三层单元 (TLC) 第 9 代 V-NAND，彰显其领先技术。

在激烈的分层竞争中，三星电子继主打产品236层第八代V-NAND之后，又推出了290层第九代V-NAND，占据了市场主动。

第九代V-NAND采用新一代NAND闪存接口Toggle 5.1，数据输入输出速度可达每秒3.2千兆位（Gbps），较第八代V-NAND提升33%。

三星电子计划以其第 9 代 V-NAND 引领 AI SSD 市场，旨在第二季度开发并提供超高容量 64 太字节 (TB) SSD 样品。

在巩固了HBM领域领导地位后，SK海力士还显露出了引领NAND领域AI内存市场的雄心。

SK海力士近期成功开发出用于设备内置AI移动NAND解决方案的“Zoned UFS 4.0”（ZUFS 4.0），将用于具备AI功能的智能手机。

ZUFS 4.0 针对移动设备内置 AI 进行了优化，据称可提供业界最高的性能。与传统 UFS 相比，它在长期使用环境下可将智能手机上的应用启动时间缩短约 45%，同时还将读写性能降低 4 倍，并将产品使用寿命延长约 40%。

此外，SK海力士计划积极增加高性能16通道企业级SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的销售。

此外，SK海力士还将及时推出适用于AI PC的PCIe第五代消费级SSD（cSSD），并优化产品阵容以满足市场需求。

AI让原本举步维艰的NAND市场重新焕发活力，AI服务器采购量的爆发式增长也带动了AI服务器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上涨。

配备设备内置 AI 的个人电脑和智能手机的发布也推动了对 NAND 的需求。